Find your $100k business idea in 10 days and get the first clients fast

Infineon si Chartered valideaza rezultatele aplicatiei Calibre LFD

creată de Mentor Graphics, pe cipuri cu tehnologie de 65 nm

Compania Mentor Graphics anunţă validarea rezultatelor aplicaţiei sale Calibre® LFD (litho-friendly design) pe cipuri cu tehnologie de 65 nm.

Un articol redactat împreună de Infineon Technologies şi Chartered Semiconductor Manufacturing prezintă avantajele ce rezultă din implementarea unui flux de verificare a procedeelor litografice cu ajutorul aplicaţiei Calibre LFD de la Mentor Graphics. Calibre LFD permite analiza calităţii unui proiect "DRC (design rule check) clean" prin simularea efectelor variaţiilor reale ale procedeelor litografice. Utilizat de la începutul ciclului de proiectare, acest instrument permite identificarea zonelor critice  (hot spot-uri) ce se află la originea defectelor sistematice. Calibre LFD utilizează modele de procese validate în producţie, care furnizează nivelul de precizie necesar pentru realizarea cu încredere a modificărilor. Chartered colaborează cu Mentor din martie 2006 la realizarea unui kit de producţie LFD™.

Acest articol, intitulat "Hardware Verification of Litho-Friendly Design (LFD) Methodologies [6521-20]”, a fost prezentat în februarie 2007 în cadrul simpozionului SPIE Advanced Lithography şi a fost redactat de o echipă formată din experţi de la Infineon şi Chartered (Reinhard März, Kai Peter, Sonja Gröndahl şi Klaus Keiner de la Infineon Technologies AG; şi Byoung Il Choi, Shyue Fong Quek, Mei Chun Yeo, Nan Shu Chen şi Soo Muay Goh de la Chartered).

Concluziile articolului se bazează pe o serie de experimente menite să demonstreze valoarea verificării fizice folosind modele LFD asociate unui design tradiţional bazat pe reguli în geometriile de 65 nm şi inferioare. Aceste experimente au inclus verificări litografice pentru lăţime minimă (Pinching), spaţiu minim (Bridging), arie minimă de suprapunere şi index de variabilitate a procedeelor. Măsurătorile fizice realizate pe wafere de siliciu reale cu variaţii controlate ale parametrilor de dozare şi focalizare s-au dovedit a corespunde rezultatelor simulărilor LFD. Experimentele au fost realizate pe o bibliotecă de celule standard Infineon din unitatea de producţie Fab 7 a companiei Chartered.
"Era important să dovedim că valoarea capacităţii de simulare litografică  bazată pe modele prin compararea rezultatelor simulate cu măsurătorile realizate pe matrice de test reale produse la 65 nm", explică Walter Ng, senior director al alianţei platformei Chartered. "Acest experiment care foloseşte biblioteca de celule standard a Infineon demonstrează că un flux LFD foarte precis pentru procesul nostru de 65 nm poate asigura beneficii substanţiale clienţilor noştri".

Concluzia articolului din SPIE este că asigurarea doar a conformităţii DRC nu este suficientă pentru a evita hot spot-urile susceptibile a afecta randamentul la 65 nm şi mai puţin. Cercetătorii şi-au dat de asemenea seama că majoritatea problemelor pot fi atribuite unui număr mic de celule, ceea ce sugerează că clasificarea unui număr relativ mic de probleme de layout după gravitate şi impact asupra randamentului poate determina o ameliorare semnificativă.

"Suntem încântaţi de această colaborare dintre Infineon şi Chartered în vederea validării metodologiei LFD ", spune Joe Sawicki, vicepreşedinte şi director general al diviziei Design to Silicon din cadrul Mentor Graphics. "Suntem convinşi că rezultatele acestor experienţe vor stârni interesul altor companii care evaluează în prezent avantajele diferitelor soluţii DFM. Lucrăm în prezent la implementarea unui flux de verificare bazat pe LFD".

Bucuresti, 12.06.2007

{mosloadposition user10}

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *